第四章 优化MOSFET模型(第2/2 页)
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数因不同技术而异，相差100倍，这为未来通过电介质/界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。一个简单的物理模型可以将沟道场e与所有器件参数和偏置电压相关联。描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”
因为胡正明构建的数学模型很简单，简单的描绘了osfet退化的本质。
越是简单的模型，越难进行优化。
但是这封邮件，为胡正明提供了一个新的角度来对这个问题进行思考。
优化后的数学模型，能够解释更多的现象，从而对热电子缩放的现象进行更好的监控。
为了看这封邮件，胡正明完全忘了还有咖啡这回事。
他看完核心部分后，再回过头去看了眼是谁发给他的邮件，zhouxpku，来自燕大的邮件。
“周新？我没听过燕大半导体领域有这么一号人物啊？而且按理来说不应该发论文吗？”胡正明内心很是纳闷。
能够做出这种级别创新的一般来说，不会是什么无名之辈。
胡正明又看了下邮件的最后部分，邮件最后部分表达了希望来他手下读博。
胡正明这下才懂，对方为什么给他发这封邮件。
原来是通过这种方式来吸引他的注意力。
之前他也收到过华国学生寄来类似的邮件，通过表达自己对科研的看法，以及读一些论文之后的想法，试图从他这里获得一封推荐信。
放在二十年后，这叫套磁。
只是这些华国学生的跨国邮件充其量只是一个想法。
而周新发过来的，补充一点总述，就称得上一篇完整的论文，而是是可以发顶刊的论文。
胡正明打算回一封邮件给对方，打一通电话，详细聊聊。
如此高质量的论文，出自一名大学生之手还是很罕见的。
胡正明希望通过直接通话，对对方的水平进行进一步的确认。
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